本产品节能方式采用大功率IGBT功率器件，降低开关器件损耗。现有的可控硅为半控器件，其开关损耗大，而IGBT为全控器件，其开关损耗小，因此，本设计还将可控硅器件改为IGBT器件。
优势：IGBT中频比可控硅中频每吨料节能100度电以上。
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